Transistoren - IGBT - Single
Recommandéiert Hiersteller
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Den 1. Abrëll 1999 sinn Siemens Semiconductors Infineon Technologies. Eng dynamesch méi flexibel Firma, déi dem Erfolleg vun der kompetitiver, ëmmer verännerter Welt vun der Mikroelektronik orientéiert.
Infineon ass e führende globalen Designer, Fabrikant a Supplier vu breet Palette vun Halble......Detailer
-
IGZ100N65H5XKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreiwung:IGBT 650V 100A SGL TO-247-4
-
IKD06N60R
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreiwung:IGBT 600V 12A 100W TO252-3
-
SKB02N120ATMA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreiwung:IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3-2
-
IRGS4045DTRRPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreiwung:IGBT 600V 12A 77W D2PAK
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) dréit energieeffizienten Innovatiounen, sou datt d'Clienten erméiglecht fir d'weltwäite Energieverbrauch ze reduzéieren. D'Firma bitt en komplette Portfolio vun energieeffizienten Muecht an Signalverwaltung, Logik, diskret a speziell Léisunge fir d'Ingenieuren ze entw......Detailer
-
NGTB40N65FL2WG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreiwung:IGBT 650V 80A 366W TO247
-
FGH60N60SMD
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreiwung:IGBT 600V 120A 600W TO247
-
NGB8202NT4G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreiwung:IGBT 440V 20A 150W D2PAK
-
FGD2736G3-F085
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreiwung:ECOSPARK3 IGN-IGBT TO252
- IXYS Corporation
- - IXYS Corporation bitt eng breet Zeil vu High-Power-Semiconductoren, dorënner ennergetescher MOSFETs, onverännert séier IGBTs, Fast Recovery Dioden (FREDs), SCR- a Diode Module, Rectifier Bridges, an Power Interface ICs.
......Detailer
-
IXGH17N100AU1
IXYS Corporation
Beschreiwung:IGBT 1000V 34A 150W TO247AD
-
IXST30N60B
IXYS Corporation
Beschreiwung:IGBT 600V 55A 200W TO268
-
IXGT16N170A
IXYS Corporation
Beschreiwung:IGBT 1700V 16A 190W TO268
-
IXXH30N60C3D1
IXYS Corporation
Beschreiwung:IGBT 600V 60A 270W TO247
- Renesas Electronics America
- - Renesas Electronics America entwéckelt a fabrizéiert héichhalteg integréiert Hallef-Léisungssystemer fir Automotive, Mobile a PC / AV Mäert. De Renesas ass am 1. Abrëll 2003 als Joint Venture tëscht Hitachi, Ltd. an Mitsubishi Electric Corporation gegrënnt ginn an ass mat engem Chef vun Tokyo zu J......Detailer
-
RJH65T46DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
Beschreiwung:IGBT TRENCH 650V 80A TO247A
-
RJH1BF6RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
Beschreiwung:IGBT 1100V 55A 227.2W TO247
-
RJH60V2BDPE-00#J3
Renesas Electronics America
Beschreiwung:IGBT 600V 25A 63W LDPAK
-
RJH60F7ADPK-00#T0
Renesas Electronics America
Beschreiwung:IGBT 600V 90A 328.9W TO-3P
- STMicroelectronics
- - STMicroelectronics ass eng global unabhängige Halbleiterfirma a gëtt als Leader an der Entwécklung a Liwwerung vu Halbleiterléisungen iwwer dem Spektrum vun den Mikroelektronikanwendungen. Eng onregelméisseg Kombinatioun vu Siliconen a System Expertise, Produktiounsstabilitéit, Intellektuellem Por......Detailer
-
STGWT20V60F
STMicroelectronics
Beschreiwung:IGBT 600V 40A 167W TO3PF
-
STGWT30HP65FB
STMicroelectronics
Beschreiwung:IGBT TRENCH 650V 60A TO3P
-
STGWA50M65DF2
STMicroelectronics
Beschreiwung:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
-
STGB20N45LZAG
STMicroelectronics
Beschreiwung:POWER TRANSISTORS
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- - Alpha a Omega Semiconductor, Inc., oder AOS, ass e Designer, Entwéckler a globalen Zouliwwerer vun engem breeder Palette vun Power-Halbleiteren, dorënner e breet Portfolio vu Power MOSFET an Power IC Produkter. AOS probéiert sech selwer ze differenzéieren andeems se säi Fachwëssen an der Physik vu......Detailer
-
AOB5B65M1
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreiwung:IGBT 650V 5A TO263
-
AOKS30B60D1
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreiwung:IGBT 600V 30A TO247
-
AOT20B65M1
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreiwung:IGBT 650V 20A TO220
0 Item(s)
.jpg)
