Toshiba start zwee 80V N-Kanal Kraaft Mosfets

D'Apparater ginn gesot als passend fir Kraaft Uwendungen wou Operatioun mat nidderegem Verloscht wichteg ass, inklusiv AC-DC an DC-DC Konversioun an Datenzentren a Kommunikatiounsbasis Statiounen souwéi Motorendreiwer. 

Souwuel den TPH2R408QM an TPN19008QM weisen eng Reduktioun vu ronn 40% am Drainquelle On-Resistenz (RDS (ON)) am Verglach zu entspriechend 80V Produkter a fréiere Prozesser wéi U-MOSVIII-H, Toshiba behaapt.

Den TPN19008QM huet en RDS (ON) Wäert vun 19mΩ (maximal.) Während den TPH2R408QM Wäert 2.43mΩ ass.

D'Firma seet datt et d'Apparatsstruktur optimiséiert huet, den Austausch tëscht RDS (ON) a Gate charge Charakteristike mat bis zu 15% ze verbesseren an den Trade-Off tëscht RDS (ON) an der Ausgabkäschte mat 31%.

D'Mosfets sinn an Uewerflächemontage-Packagen agespaart a bewäert fir eng Drainquellspannung vun 80V.

Si schaffen bei Kanaltemperature bis 175 ° C.

Den TPN19008QM ass fir en Drainstroum vun 34A bewäert an ass an engem 3,3 × 3,3 mm TSON Package ageriicht, während den TPH2R408QM fir 120A bewert ass an an engem 5x6mm SOP Package ageriicht ass.