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Transistoren - IGBT - Single

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IXYS Corporation: - IXYS Corporation bitt eng breet Zeil vu High-Power-Semiconductoren, dorënner ennergetescher MOSFETs, onverännert séier IGBTs, Fast Recovery Dioden (FREDs), SCR- a Diode Module, Rectifier Bridges, an Power Interface ICs.
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IXBT6N170 IXYS Corporation Beschreiwung:IGBT 1700V 12A 75W TO268
IXSH30N60AU1 IXYS Corporation Beschreiwung:IGBT 600V 50A 200W TO247
IXGP12N100AU1 IXYS Corporation Beschreiwung:IGBT 1000V 24A 100W TO220AB
IXGR40N60B2D1 IXYS Corporation Beschreiwung:IGBT 600V 60A 167W ISOPLUS247

International Rectifier (Infineon Technologies): Den 1. Abrëll 1999 sinn Siemens Semiconductors Infineon Technologies. Eng dynamesch méi flexibel Firma, déi dem Erfolleg vun der kompetitiver, ëmmer verännerter Welt vun der Mikroelektronik orientéiert.
Infineon ass e führende globalen Designer, Fabrikant a Supplier vu breet Palette vun Halble......Detailer

IHD10N60RA International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreiwung:IGBT 600V 20A 110W TO252-3
IRG4BC20S International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreiwung:IGBT 600V 19A 60W TO220AB
IRG4PC30FDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreiwung:IGBT 600V 31A 100W TO247AC
IRG4BC20KD-STRR International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreiwung:IGBT 600V 16A 60W D2PAK

STMicroelectronics: - STMicroelectronics ass eng global unabhängige Halbleiterfirma a gëtt als Leader an der Entwécklung a Liwwerung vu Halbleiterléisungen iwwer dem Spektrum vun den Mikroelektronikanwendungen. Eng onregelméisseg Kombinatioun vu Siliconen a System Expertise, Produktiounsstabilitéit, Intellektuellem Por......Detailer

STGB20V60DF STMicroelectronics Beschreiwung:IGBT 600V 40A 167W D2PAK
STGB7NB60KDT4 STMicroelectronics Beschreiwung:IGBT 600V 14A 80W D2PAK
STGW40V60DF STMicroelectronics Beschreiwung:IGBT 600V 80A 283W TO247
STGWA25H120F2 STMicroelectronics Beschreiwung:IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor: - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) dréit energieeffizienten Innovatiounen, sou datt d'Clienten erméiglecht fir d'weltwäite Energieverbrauch ze reduzéieren. D'Firma bitt en komplette Portfolio vun energieeffizienten Muecht an Signalverwaltung, Logik, diskret a speziell Léisunge fir d'Ingenieuren ze entw......Detailer

FGH75T65SHDT-F155 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreiwung:IGBT 650V 150A 455W TO-247
SGR2N60UFDTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreiwung:IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
NGD8201NT4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreiwung:IGBT 440V 20A 125W DPAK
FGA25N120ANTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreiwung:IGBT 1200V 40A 310W TO3P

Microsemi: - Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) bitt en erfollegräicht Portfolio vu Halblef- a Systemlösungen fir Aerospace & Verteidegung, Kommunikatioun, Rechenzentrum an Industriemäert. Zu Produkter gehéieren héich leeschtungsfäheg an strahlungsverhärte Analogmixed-Signal integréiert Circuits, FPGAs, SoCs......Detailer

APT25GN120B2DQ2G Microsemi Beschreiwung:IGBT 1200V 67A 272W TMAX
APT30GS60BRDQ2G Microsemi Beschreiwung:IGBT 600V 54A 250W SOT227
APT50GT120B2RDLG Microsemi Beschreiwung:IGBT 1200V 106A 694W TO-247

Renesas Electronics America: - Renesas Electronics America entwéckelt a fabrizéiert héichhalteg integréiert Hallef-Léisungssystemer fir Automotive, Mobile a PC / AV Mäert. De Renesas ass am 1. Abrëll 2003 als Joint Venture tëscht Hitachi, Ltd. an Mitsubishi Electric Corporation gegrënnt ginn an ass mat engem Chef vun Tokyo zu J......Detailer

RJH60A83RDPN-E0#T2 Renesas Electronics America Beschreiwung:IGBT 600V 20A TO-220AB
RJH60M3DPE-00#J3 Renesas Electronics America Beschreiwung:IGBT 600V 35A 113W LDPAK
RJH60D7DPQ-E0#T2 Renesas Electronics America Beschreiwung:IGBT 600V 90A 300W TO-247

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