Transistoren - IGBT - Single
Recommandéiert Hiersteller
- IXYS Corporation
- - IXYS Corporation bitt eng breet Zeil vu High-Power-Semiconductoren, dorënner ennergetescher MOSFETs, onverännert séier IGBTs, Fast Recovery Dioden (FREDs), SCR- a Diode Module, Rectifier Bridges, an Power Interface ICs.
......Detailer
-
IXGQ200N30PB
IXYS Corporation
Beschreiwung:IGBT 300V 400A TO3P
-
IXDH20N120D1
IXYS Corporation
Beschreiwung:IGBT 1200V 38A 200W TO247AD
-
IXBF42N300
IXYS Corporation
Beschreiwung:IGBT 3000V TO247
-
IXSH25N120A
IXYS Corporation
Beschreiwung:IGBT 1200V 50A 200W TO247AD
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Den 1. Abrëll 1999 sinn Siemens Semiconductors Infineon Technologies. Eng dynamesch méi flexibel Firma, déi dem Erfolleg vun der kompetitiver, ëmmer verännerter Welt vun der Mikroelektronik orientéiert.
Infineon ass e führende globalen Designer, Fabrikant a Supplier vu breet Palette vun Halble......Detailer
-
SGW10N60AFKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreiwung:IGBT 600V 20A 92W TO247-3
-
IRGS4064DTRRPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreiwung:IGBT 600V 20A 101W D2PAK
-
AUIRGP65A40D0
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreiwung:DISCRETES
-
IRG8P50N120KD-EPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreiwung:IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) dréit energieeffizienten Innovatiounen, sou datt d'Clienten erméiglecht fir d'weltwäite Energieverbrauch ze reduzéieren. D'Firma bitt en komplette Portfolio vun energieeffizienten Muecht an Signalverwaltung, Logik, diskret a speziell Léisunge fir d'Ingenieuren ze entw......Detailer
-
FGH40N65UFDTU
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreiwung:IGBT 650V 80A 290W TO247
-
FGB3040G2-F085
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreiwung:IGBT 400V 41A TO263
-
SGH30N60RUFTU
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreiwung:IGBT 600V 48A 235W TO3P
-
NGTB15N60EG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreiwung:IGBT 600V 30A 117W TO220-3
- STMicroelectronics
- - STMicroelectronics ass eng global unabhängige Halbleiterfirma a gëtt als Leader an der Entwécklung a Liwwerung vu Halbleiterléisungen iwwer dem Spektrum vun den Mikroelektronikanwendungen. Eng onregelméisseg Kombinatioun vu Siliconen a System Expertise, Produktiounsstabilitéit, Intellektuellem Por......Detailer
-
STGP19NC60S
STMicroelectronics
Beschreiwung:IGBT 600V 40A 130W TO220
-
STGD7NB120S-1
STMicroelectronics
Beschreiwung:IGBT 1200V 10A 55W IPAK
-
STGF6M65DF2
STMicroelectronics
Beschreiwung:IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP
-
STGFL6NC60D
STMicroelectronics
Beschreiwung:IGBT 600V 7A 22W TO220FP
- Microsemi
- - Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) bitt en erfollegräicht Portfolio vu Halblef- a Systemlösungen fir Aerospace & Verteidegung, Kommunikatioun, Rechenzentrum an Industriemäert. Zu Produkter gehéieren héich leeschtungsfäheg an strahlungsverhärte Analogmixed-Signal integréiert Circuits, FPGAs, SoCs......Detailer
- LAPIS Semiconductor
- - ROHM gouf 1958 gegrënnt a Kyoto, Japan. ROHM entwéckelt a fabrizéiert Halbleiter, integréiert Circuits an aner elektronesch Komponenten. Dës Komponenten fënnt een Haus an der dynamescher a ëmmer wuesse Wireless, Computer, Automotive a Consumer Electronics. E puer vun déi innovativ Ausrüstung an Ap......Detailer
-
RGW60TS65GC11
LAPIS Semiconductor
Beschreiwung:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
-
RGT8NS65DGTL
LAPIS Semiconductor
Beschreiwung:IGBT 650V 8A 65W TO-263S
-
RGT40TS65DGC11
LAPIS Semiconductor
Beschreiwung:IGBT 650V 40A 144W TO-247N
0 Item(s)
.jpg)
APT30GT60BRDQ2G
Microsemi
Beschreiwung:IGBT 600V 64A 250W TO247
APT25GR120S
Microsemi
Beschreiwung:IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
